参数资料
型号: IRLL2705TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 3.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLL2705TR
IRLL2705CT
IRLL2705
100
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
100
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
10
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3 .0 V
10
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3 .0V
2 0μ s P U L S E W ID T H
2 0μ s P U L S E W ID TH
1
T J = 25 °C
A
1
T J = 15 0°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
T J = 1 50 °C
V DS = 25V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 3.8 A
1
3.0
3.5
4.0
2 0 μ s P UL S E W ID TH
4.5 5.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 1 0V
A
100 120 140 160
V G S , G ate-to -So urce Voltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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