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参数资料
| 型号： | IRLM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Advanced Power MOSFET
FEATURES
n Avalanche Rugged Technology
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
n Improved Gate Charge
n Extended Safe Operating Area
n Lower Leakage Current : 10 μ A (Max.) @ V DS = 100V
n Lower R DS(ON) : 0.176 ? (Typ.)
IRLM120A
BV DSS = 100 V
R DS(on) = 0.22 ?
I D = 2.3 A
SOT-223
2
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C)
Continuous Drain Current (T C =70 C)
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
o
o
Value
100
2.3
1.85
Units
V
A
Total Power Dissipation (T C =25 C) *
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
o
Linear Derating Factor *
(1)
(2)
(1)
(1)
(3)
18
± 20
105
2.3
0.27
6.5
2.7
0.022
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
o
Operating Junction and
T J , T STG
T L
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
- 55 to +150
300
o
C
Thermal Resistance
Symbol
Characteristic
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient *
--
46.3
o
C/W
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
1
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