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参数资料
| 型号： | IRLM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
V GS
IRLM120A
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
7.0 V
6.0 V
10 1
5.5 V
5.0 V
10 1
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
150 o C
10 0
10 0
25 o C
@ Notes :
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
- 55 o C
1. V GS = 0 V
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
10 -1 -1
10
10 0
10 1
10 -1
0
2
4
6
8
10
0.4
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.3
V GS = 5 V
10 1
0.2
10 0
0.1
V GS = 10 V
150 o C
@ Notes :
1. V GS = 0 V
@ Note : T J = 25 o C
25 o C
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
10
20
30
40
10 -1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
600
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
C oss = C ds + C gd
6
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
480
C iss
C rss = C gd
V DS = 20 V
V DS = 50 V
360
240
C oss
C rss
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
V DS = 80 V
120
@ Notes : I D = 9.2 A
0 0
10
10 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
2
4 6 8
Q G , Total Gate Charge [nC]
10
12
3
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PDF描述 |
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