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参数资料
| 型号： | IRLM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLM120A
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
2.5
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
1. V = 0 V
GS
2. I D = 250 μ A
0.5
1. V = 5 V
GS
2. I D = 4.6 A
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J , Junction Temperature [ C]
o
T J , Junction Temperature [ o C]
10 2
Fig 9. Max. Safe Operating Area
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
8
10 1
1 ms
100 μ s
6
10 ms
DC
@ Notes :
4
10 0
1. T C = 25 o C
2. T J = 150 o C
3. Single Pulse
2
10 -1 0
10
10 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10 2
0
25
50
75 100
T c , Case Temperature [ o C]
125
150
10 1
10 0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
Fig 11. Thermal Response
@ Notes :
1. Z θ J C (t)=3.5 o C/W Max.
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10 - 1
0.02
0.01
single pulse
3. T J M -T C =P D M *Z θ J C (t)
P DM
10
t 1
t 2
-2
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
4
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