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参数资料
| 型号： | IRLM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLM120A
Electrical Characteristics (T C =25 o C unless otherwise specified)
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
100
--
--
V
V GS =0V,I D =250 μ A
V/ C I D =250 μ A
? BV/ ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
--
0.09
--
o
See Fig 7
V DS =80V,T C =125 C
V GS(th)
I GSS
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Drain-to-Source Leakage Current
1.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2.0
100
-100
10
100
V
nA
μ A
V DS =5V,I D =250 μ A
V GS =20V
V GS =-20V
V DS =100V
o
R DS(on)
g fs
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
--
--
--
4.6
0.22
--
?
V GS =5V,I D =1.15A
V DS =40V,I D =1.15A
(4)
(4)
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
--
--
--
340 440
90 115
39 50
pF
V GS =0V,V DS =25V,f =1MHz
See Fig 5
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
--
--
--
--
--
--
5
10
19
9
10.2
1.7
20
30
50
30
15
--
ns
nC
V DD =50V,I D =9.2A,
R G =9 ?
See Fig 13
V DS =80V,V GS =5V,
I D =9.2A
(4)(5)
Q gd
Gate-Drain (“Miller”) Charge
--
6.0
--
See Fig 6 & Fig 12 (4)(5)
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
T J =25 C,I S =2.3A,V GS =0V
T J =25 C,I F =9.2A
I S
I SM
V SD
t rr
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
(1)
(4)
--
--
--
--
--
--
--
98
2.3
18
1.5
--
A
V
ns
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
o
o
Q rr
Reverse Recovery Charge
--
0.34
--
μ C
di F /dt=100A/ μ s
(4)
Notes ;
① Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
② L=30mH, I AS =2.3A, V DD =25V, R G =27 ? , Starting T J =25 o C
③ I SD < 9.2A, di/dt < 300A/ μ s, V DD < BV DSS , Starting T J =25 o C
④ Pulse Test : Pulse Width = 250 μ s, Duty Cycle < 2%
⑤ Essentially Independent of Operating Temperature
2
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参数描述 |
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| IRLM210ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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