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参数资料
| 型号： | IRLM120ATF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.15A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
IRLM120A
* Current Regulator ”
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
R 1
R 2
Current Sampling (I G )
Resistor
Current Sampling (I D )
Resistor
Charge
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
R L
V out
V in
V DD
V out
90%
( 0.5 rated V DS )
R G
10V
DUT
V in
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L L I AS2 --------------------
BV DSS -- V DD
Vary t p to obtain
required peak I D
V DS
L L
I D
BV DSS
I AS
1
2
R G
DUT
C
V DD
V DD
I D (t)
V DS (t)
5V
t p
t p
Time
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRLM210A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLM210ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLM220A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLM220ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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