- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLL3303 (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLL3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLL3303 |
IRLL3303
100
10
VGS
TO P 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOT TOM 3.0V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3 .0V
3 .0V
20 μ s P U LS E W ID TH
2 0μ s P U L S E W ID TH
1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
T J = 1 5 0 ° C
V DS = 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 4 .6A
1
3.0
3.5
4.0
2 0 μ s P U L S E W ID T H
4.5 5.0 5.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
100 120 140 160
A
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| IRLML2402TR | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
| IRLML2502TR | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
| IRLML2803GTRPBF | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
| IRLML2803TR | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLL3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 4PIN SOT-223 - Bulk |
| IRLL3303PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL3303PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLL3303TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLL3303TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。