参数资料
型号: IRLL3303
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
标准包装: 80
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 4.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 840pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 管件
其它名称: *IRLL3303
IRLL3303
Q G
V DS
R D
10V
V G
Q GS
Q GD
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10V
Charge
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V DS
50K ?
90%
- DS
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
10%
V GS
3mA
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
1000
100
D = 0 .5 0
0 .2 0
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0 .1 0
0 .0 5
0 .02
1
0 .01
P D M
t
1
0.1
S IN G L E P U L S E
(T H E R M A L R E S P O N S E )
N o te s :
t2
1 . D u ty fac t or D = t
1
/t
2
0.01
2 . P e a k T J = P D M x Z th J A + T A
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
t 1 , R e cta n g u la r P u lse D u ra tio n (se c )
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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