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参数资料
| 型号： | IRLML6402PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | IRLML6402PBF |
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage ( V )
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
RD
Id = -3.7A
0
5
10
15
20
25
30
-ID , Drain Current ( A )
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
RD
VGS = -4.5V
VGS = -2.5V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML6402TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLML6402TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML6402TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML6402TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 1.3 W 8 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML9301TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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