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参数资料
型号： IRLML6402TR
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 4/8页
文件大小： 81K
代理商： IRLML6402TR
IRLML6402
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
3
6
9
12
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-3.7A
V
=-10V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
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PDF描述
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