参数资料
型号: IRLMS1503
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET
中文描述: 功率MOSFET
文件页数: 5/8页
文件大小: 180K
代理商: IRLMS1503
IRLMS1503
www.irf.com
4
QG
QGS
QGD
VG
Charge
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
+
-
VDS
10V
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
VDD
RG
D.U.T.
10V
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Ther
m
a
lR
e
sponse
(Z
)
1
th
J
A
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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