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参数资料
| 型号： | IRLMS1503 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | IRLMS1503 |
IRLMS1503
8
www.irf.com
Tape & Reel Information
Micro6
8mm
FEED DIRECTION
4mm
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )
178.00
( 7.008 )
MAX.
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 03/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU110 | 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRLZ34-015PBF | 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRM-3733N3 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| IRM-8752-5 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| IRM-8755-1 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS1503_05 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLMS1503PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6 |
| IRLMS1503TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLMS1503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 3.2A 6TSOP - Tape and Reel |
| IRLMS1503TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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