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参数资料
| 型号： | IRLR3802TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12V 84A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.9V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U3802PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
12
–––
–––
0.009
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
6.5
–––
8.5 V GS = 4.5V, I D = 15A
30 V GS = 2.8V, I D = 12A
?
μA
200 V GS = 12V
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
I GSS
g fs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-Source Charge
Post-Vth Gate-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
0.6
–––
–––
–––
–––
–––
31
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-3.2
–––
–––
–––
–––
–––
27
3.6
2.0
10
11
12
28
11
14
21
17
2490
2150
530
1.9 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– mV/°C
100 V DS = 9.6V, V GS = 0V
250 V DS = 9.6V, V GS = 0V, T J = 125°C
nA
-200 V GS = -12V
––– S V DS = 6.0V, I D = 12A
41
––– V DS = 6.0V
––– V GS = 5.0V
––– nC I D = 6.0A
––– See Fig.16
–––
––– nC V DS = 10V, V GS = 0V
––– V DD = 6.0V, V GS = 4.5V ?
––– ns I D = 12A
––– Clamped Inductive Load
–––
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 6.0V
––– ? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
300
20
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
84 ?
320
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.81
0.65
52
54
50
50
1.2
–––
78
81
75
75
V
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 12A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 12A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 12A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3802TRPBF | 功能描述:MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRLR3915PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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