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参数资料
| 型号： | IRLR3802TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12V 84A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.9V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U3802PbF
L D
100
80
60
LIMITED BY PACKAGE
V GS
V DS
D.U.T
V DD
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
40
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
20
0
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature (°C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
t d(on)
t f
t d(off)
t r
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
0.1
0.01
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRLR8503TRR | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3802TRPBF | 功能描述:MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3815 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
| IRLR3915 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR3915HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 61A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRLR3915PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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