参数资料
型号: IRLR3802TRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 84A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 15A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.9V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2490pF @ 6V
功率 - 最大: 88W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRLR/U3802PbF
1000
100
TOP
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
1000
100
TOP
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.3V
2.0V
1.8V
10
BOTTOM 1.5V
BOTTOM 1.5V
10
1
1.5V
0.1
1.5V
20μs PULSE WIDTH
1
20μs PULSE WIDTH
0.01
Tj = 25°C
0.1
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
1.5
ID = 84A
100
10
T J = 25°C
T J = 175°C
1.0
VGS = 4.5V
1
VDS = 5.0V
0
20μs PULSE WIDTH
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述
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