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参数资料
| 型号： | IRLTS6342TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 8.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1010pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLTS6342TRPBFDKR |
IRLTS6342PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250 μ A
ΔΒ V DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
23
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
Δ V GS(th)
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q gs
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
–––
–––
0.5
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
–––
14.0
17.5
–––
-4.3
–––
–––
–––
–––
–––
11
0.5
17.5
22.0
1.1
–––
1.0
150
100
-100
–––
–––
–––
m Ω
V
mV/°C
μ A
nA
S
nC
V GS = 4.5V, I D = 8.3A
V GS = 2.5V, I D = 6.7A
V DS = V GS , I D = 10 μ A
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
V DS = 10V, I D = 6.4A
V GS = 4.5V
V DS = 15V
Q gd
R G
t d(on)
Gate-to-Drain Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
–––
–––
4.6
2.2
5.4
–––
–––
–––
Ω
I D = 6.4A
V DD = 15V, V GS = 4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
32
15
1010
96
70
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 6.4A
R G = 6.8 Ω
See Figs. 18
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
2.0
64
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
13
5.8
1.2
20
8.7
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 8.3A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 6.4A, V DD = 24V
di/dt = 100/ μ s
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient
–––
62.5
°C/W
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400 μ s; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on 1 ich square copper board.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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