参数资料
型号: IRLTS6342TRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1010pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 标准包装
其它名称: IRLTS6342TRPBFDKR
IRLTS6342PbF
100
T J = 150°C
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
1msec
10
T J = 25°C
10
10msec
100 μ sec
1
DC
1.0
VGS = 0V
0.1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1.0
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
8.0
6.0
1.4
1.2
1.0
0.8
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4.0
2.0
0.0
0.6
0.4
0.2
0.0
I D = 10 μ A
I D = 250 μ A
I D = 1.0mA
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T A , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.1
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
0.01
0.001
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
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