参数资料
型号: IRLTS6342TRPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1010pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 标准包装
其它名称: IRLTS6342TRPBFDKR
IRLTS6342PbF
L
Vds
Vgs
Id
0
1K
S
DUT
VCC
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 17a. Gate Charge Test Circuit
15V
Fig 17b. Gate Charge Waveform
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
I AS
Fig 18a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 18b. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
V DS
V GS
R G
GS
V 10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
6
Fig 19a. Switching Time Test Circuit
Fig 19b. Switching Time Waveforms
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