参数资料
型号: IRLU3103
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 55A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 19 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
功率 - 最大: 107W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLU3103
Q832191
IRLR/U3103
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
100
10
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
100
10
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5 V
20μ s P U LS E W ID TH
20μ s P U LS E W ID TH
1
0.1
1
T J = 25°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 175°C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 2 5 °C
2.0
1.5
I D = 56A
100
T J = 1 7 5 °C
1.0
10
0.5
V DS = 15V
1
2.0
3.0
4.0
5.0
2 0 μ s P U L S E W ID T H
6.0 7.0 8.0
9.0
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10V
100 120 140 160 180
A
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述
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参数描述
IRLU3103PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU3105 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU3105PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 25A, 37 MOHM, 13.3 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 25A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 25A I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes
IRLU3110ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU3114ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube