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参数资料
| 型号： | IRLU3103 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLU3103 Q832191 |
IRLR/U3103
3200
2800
2400
C iss
V GS
C is s
C rs s
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 34A
V D S = 24V
V D S = 15V
2000
1600
1200
C oss
C rs s
9
6
800
3
400
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
40
S E E FIG U R E 1 3
50 60
70
A
1000
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10μ s
100
100μ s
100
T J = 175°C
T J = 25°C
10
1m s
10m s
T J
10
V G S = 0V
A
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
1
10
100
4
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT078A | SW CAP SCREW-ON .315" RND BLACK |
| MB2011SB3G03-BE | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| AT078G | CAP SCREW ON .315" DIA BLUE POLY |
| AT405F | ROCKER GREEN FOR MLW SERIES |
| AT405B | ROCKER WHITE FOR MLW SERIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLU3103PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU3105 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLU3105PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 25A, 37 MOHM, 13.3 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 25A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 25A I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes |
| IRLU3110ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU3114ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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