参数资料
型号: IRLU3103
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 55A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 19 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V
功率 - 最大: 107W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLU3103
Q832191
IRLR/U3103
60
50
40
LIMITED BY PACKAGE
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
5.0V
30
20
10
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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参数描述
IRLU3103PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU3105 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU3105PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 25A, 37 MOHM, 13.3 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 25A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 25A I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 25A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes
IRLU3110ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU3114ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube