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参数资料
| 型号： | IRLU3717PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLU3717PBF |
PD - 95776A
IRLR3717PbF
Applications
IRLU3717PbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
V DSS R DS(on) max
Qg
l
High Frequency Isolated DC-DC
20V
4.0m
21nC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
Lead-Free
Benefits
l
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR3717
I-Pak
IRLU3717
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
120
81
460
89
44
0.59
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
1.69
50
110
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
12/08/04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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