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参数资料
| 型号： | IRLU3717PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLU3717PBF |
IRLR/U3717PbF
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6.0
5.0
ID= 12A
VDS= 16V
VDS= 10V
10000
Ciss
4.0
3.0
1000
Coss
2.0
Crss
1.0
100
0.0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
10000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 25°C
T J = 175°C
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
100
100μsec
10.00
10
Tc = 25°C
1msec
1.00
VGS = 0V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLU3815 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251AA |
| IRLU3915 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLU3915PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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