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参数资料
| 型号： | IRLU3717PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLU3717PBF |
IRLR/U3717PbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
6.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
6.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
10
1
10
0.1
2.5V
2.5V
0.01
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1.0
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 175°C
2.0
I D = 30A
VGS = 10V
1.5
10
1
0.1
T J = 25°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
1.0
0.5
0
2
4
6
8
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRLU3915PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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