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参数资料
| 型号： | IXTP88N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA88N085T
IXTP88N085T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
85 V
88 A
11 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
85
85
V
V
V GSM
Transient
± 20
V
G
S
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
88
75
240
25
500
A
A
A
A
mJ
TO-220 (IXTP)
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 5 ?
3
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
230
W
G = Gate
D = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
175
-40 ... +175
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
S = Source TAB = Drain
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13 / 10 Nm/lb.in.
rated
Low package inductance
Weight
TO-220
TO-263
3
2.5
g
g
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
High power density
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
85
V
Applications
Automotive
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 200
2
150
V
nA
μ A
μ A
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
9
11
m ?
High Current Switching
Applications
DS99640 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTP8N45MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50P | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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