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参数资料
| 型号： | IXTP88N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA88N085T
IXTP88N085T
90
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
V GS = 10V
9V
80
70
9V
8V
7V
280
240
8V
60
50
40
6V
200
160
7V
30
20
120
80
6V
10
0
5V
40
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 44A Value
vs. Junction Temperature
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
1.8
50
40
30
6V
5V
1.6
1.4
1.2
I D = 88A
I D = 44A
20
10
0
1.0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 44A Value
vs. Drain Current
100
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3
2.8
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
90
80
2.6
2.4
2.2
2
1.8
70
60
50
40
External Lead Current Limit
TO-263 & TO-220
1.6
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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