- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18784 > IXTP88N085T (IXYS)MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP88N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA88N085T
IXTP88N085T
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
R G = 5 ?
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
I D = 20A
I D = 40A
V GS = 10V
V DS = 44V
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 44V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
41
33
52
110
t r
t d(on) - - - -
39
100
90
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 44V
I D = 40A, 20A
37
35
32
I D = 20A
49
80
70
60
50
33
31
29
27
31
30
29
I D = 40A
46
43
40
40
30
20
10
25
23
21
19
28
27
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 44V
37
34
5
7
9
11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
33
58
130
220
32
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 44V
54
120
110
100
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 44V
I D = 20A
200
180
160
31
50
90
80
140
120
30
29
46
42
70
60
I D = 40A
100
80
50
60
28
T J = 25oC
38
40
40
30
20
27
34
20
0
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
5
7
9
11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_88N085T (3V) 9-15-06-A.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPG2150T5L-A | IC SWITCH SP3T 12-TSQFN |
| UPG2031TQ-E1-A | IC SWITCH SP3T 10-TSON |
| UPG2183T6C-E2-A | IC SW SP4T 50MHZ-2.5GHZ 16-QFN |
| UPG2150T5L-E2-A | IC SWITCH SP3T 12-TSQFN |
| UPG2404T6Q-E2-A | IC SW SP3T 10MHZ-2GHZ 10-TSSON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP8N45MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N45MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50P | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。