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参数资料
| 型号： | IXTP88N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA88N085T
IXTP88N085T
160
Fig. 7. Input Admittance
90
Fig. 8. Transconductance
140
80
T J = - 40oC
120
100
T J = -40oC
25oC
150oC
70
60
25oC
50
80
60
40
20
0
40
30
20
10
0
150oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 43V
I D = 25A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
10,000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
100
10
Coss
Crss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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参数描述 |
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