型号: | IRLW630A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | ADVANCED POWER MOSFET |
中文描述: | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封装: | D2PAK-3 |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 225K |
代理商: | IRLW630A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRLM110A | H-Bridge and Half Bridge Driver IC; Package: PG-DSO-20; Operating Range: 7.5 - 60.0 V; I<sub>Q </sub>: 0.6 mA; turn on/off current: 0.85/ 0.85 A; D.C.-range: 0...96/ 100%; numbers of integrated OPAMPs for load current measurement: 0.0; |
IRLM120A | Advanced Power MOSFET |
IRLM210 | Advanced Power MOSFET |
IRLM210A | Advanced Power MOSFET |
IRLR210 | ADVANCED POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRLW630ATM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLW640 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLW640A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
IRLW640ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLWI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |