参数资料
型号: IRS2108STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 12/25页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 220ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IRS2108STRPBFDKR
IRS2108/IRS21084(S)PbF
500
400
400
300
300
200
200
M ax.
100
M ax.
100
Typ.
M in.
0
0
0
100
200
300
400
500
600
-50
-25
0 25 50 75
100 125
V B Boost Voltage (V)
Figure 13B. Offset Supply Leakage Current
vs. Tem perature
400
3.0
Temperature ( o C)
Figure 14A. V BS Supply Current
vs. Tem perature
2.5
300
2.0
M ax.
200
1.5
1.0
Typ.
100
M ax.
Typ.
0.5
M in.
M in.
0
0.0
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
V BS Supply Voltage (V)
Figure 14B. V BS Supply Current
vs. Supply Voltage
www.irf.com
Temperature ( o C)
Figure 15A. V CC Supply Current
vs. Tem perature
12
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PDF描述
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参数描述
IRS21091PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21091SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 750ns 120mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21091STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IRS21094SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube