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参数资料
| 型号： | IRS2112SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LOW SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 135ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS2112(-1,-2,S)PbF
11
10
9
Max.
Typ.
500
400
300
T yp.
8
200
M in.
7
6
Min.
100
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature (°C)
Figure 25. V CC Undervoltage (-) vs. Temperature
o
Figure 26A. Output Source Current vs.
Temperature
500
400
300
750
600
450
T yp.
M in.
200
100
0
Typ .
M in.
300
150
0
10
12
14
16
18
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
12 5
750
600
V BIA S Supply Voltage ( V)
Figure 26B. Output Source Current
vs. Supply Voltage
Temperatu re ( o C)
Figure 27A. Output Sink Current
vs. Temperature
450
Typ.
300
M in.
150
0
10
12
14
16
18
20
V BIA S Supply V oltage (V )
Figure 27B. Output Sink Current vs. Supply Voltage
www.irf.com
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2113MPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2112STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr ShutDwn Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2113-1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC HIGH/LOW SIDE DRIVER DIP14 |
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| IRS2113MTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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