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参数资料
| 型号： | IRS2336DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 31/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 530ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS2336x(D) Family
DC+ BUS
Q1
ON
I U
V S1
Q2
D2
OFF
DC- BUS
Figure 26: Q1 conducting
Figure 27: D2 conducting
Also when the V phase current flows from the inductive load back to the inverter (see Figures 28 and 29), and Q4
IGBT switches on, the current commutation occurs from D3 to Q4. At the same instance, the voltage node, V S2 ,
swings from the positive DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
Figure 28: D3 conducting
Figure 29: Q4 conducting
However, in a real inverter circuit, the V S voltage swing does not stop at the level of the negative DC bus, rather it
swings below the level of the negative DC bus. This undershoot voltage is called “negative V S transient”.
The circuit shown in Figure 30 depicts one leg of the three phase inverter; Figures 31 and 32 show a simplified
illustration of the commutation of the current between Q1 and D2. The parasitic inductances in the power circuit from
the die bonding to the PCB tracks are lumped together in L C and L E for each IGBT. When the high-side switch is on,
V S1 is below the DC+ voltage by the voltage drops associated with the power switch and the parasitic elements of the
circuit. When the high-side power switch turns off, the load current momentarily flows in the low-side freewheeling
diode due to the inductive load connected to V S1 (the load is not shown in these figures). This current flows from the
DC- bus (which is connected to the COM pin of the HVIC) to the load and a negative voltage between V S1 and the
DC- Bus is induced (i.e., the COM pin of the HVIC is at a higher potential than the V S pin).
www.irf.com
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? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM40-243.3SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 3.3VOUT |
| T95X475K025LZAL | CAP TANT 4.7UF 25V 10% 2910 |
| RPM40-2415SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 15VOUT |
| 3292P-1-100 | TRIMMER 10 OHM 0.5W TH |
| QYX1H683JTP | CAP FILM 0.068UF 50VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2336DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Prot w/out iBSF RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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