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参数资料
| 型号： | IRS2336DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 34/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 530ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS2336x(D) Family
Routing and Placement : Power stage PCB parasitic elements can contribute to large negative voltage transients at
the switch node; it is recommended to limit the phase voltage negative transients. In order to avoid such conditions, it
is recommended to 1) minimize the high-side emitter to low-side collector distance, and 2) minimize the low-side
emitter to negative bus rail stray inductance. However, where negative V S spikes remain excessive, further steps
may be taken to reduce the spike. This includes placing a resistor (5 or less) between the V S pin and the switch
node (see Figure 36), and in some cases using a clamping diode between V SS and V S (see Figure 37). See DT04-4
at www.irf.com for more detailed information.
Figure 36: V S resistor
Figure 37: V S clamping diode
Integrated Bootstrap FET limitation
The integrated Bootstrap FET functionality has an operational limitation under the following bias conditions applied to
the HVIC:
?
?
VCC pin voltage = 0V AND
VS or VB pin voltage > 0
In the absence of a VCC bias, the integrated bootstrap FET voltage blocking capability is compromised and a
current conduction path is created between VCC & VB pins, as illustrated in Fig.38 below, resulting in power loss
and possible damage to the HVIC.
Figure 38: Current conduction path between VCC and VB pin
www.irf.com
34
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM40-243.3SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 3.3VOUT |
| T95X475K025LZAL | CAP TANT 4.7UF 25V 10% 2910 |
| RPM40-2415SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 15VOUT |
| 3292P-1-100 | TRIMMER 10 OHM 0.5W TH |
| QYX1H683JTP | CAP FILM 0.068UF 50VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2336DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Prot w/out iBSF RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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