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参数资料
| 型号： | IRS2336DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 33/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 530ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS2336x(D) Family
Ground Plane: In order to minimize noise coupling, the ground plane should not be placed under or near the high
voltage floating side.
Gate Drive Loops: Current loops behave like antennas and are able to receive and transmit EM noise (see Figure
34). In order to reduce the EM coupling and improve the power switch turn on/off performance, the gate drive loops
must be reduced as much as possible. Moreover, current can be injected inside the gate drive loop via the IGBT
collector-to-gate parasitic capacitance. The parasitic auto-inductance of the gate loop contributes to developing a
voltage across the gate-emitter, thus increasing the possibility of a self turn-on effect.
Figure 34: Antenna Loops
Supply Capacitor:
It is recommended to place a bypass capacitor (C IN ) between the V CC and V SS pins.
This
connection is shown in Figure 35. A ceramic 1 μF ceramic capacitor is suitable for most applications.
component should be placed as close as possible to the pins in order to reduce parasitic elements.
V cc
HIN (x3)
V B (x3)
LIN (x3)
HO (x3)
EN
This
FAULT
V S (x3)
C IN
RCIN
ITRIP
LO (x3)
V SS
COM
Figure 35: Supply capacitor
www.irf.com
33
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM40-243.3SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 3.3VOUT |
| T95X475K025LZAL | CAP TANT 4.7UF 25V 10% 2910 |
| RPM40-2415SG-DIN | CONV DC/DC 40W 18-36VIN 15VOUT |
| 3292P-1-100 | TRIMMER 10 OHM 0.5W TH |
| QYX1H683JTP | CAP FILM 0.068UF 50VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2336DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Prot w/out iBSF RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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