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参数资料
| 型号： | IRS2336DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 36/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 530ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2336DSTRPBFDKR |
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IRS2336x(D) Family
Parameter Temperature Trends
Figures 40-61 provide information on the experimental performance of the IRS2336xD HVIC. The line plotted in
each figure is generated from actual lab data. A small number of individual samples were tested at three
temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to generate the experimental (Exp.) curve. The line labeled Exp.
consist of three data points (one data point at each of the tested temperatures) that have been connected together
to illustrate the understood temperature trend. The individual data points on the curve were determined by
calculating the averaged experimental value of the parameter (for a given temperature).
1000
800
1000
800
600
400
200
0
Exp.
600
400
200
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
600
Temperature ( o C)
Figure 40: t ON vs. temperature
1500
Temperature ( o C)
Figure 41: t OFF vs. temperature
1200
450
300
150
Exp.
900
600
300
Exp.
0
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Figure 42: DT vs. temperature
www.irf.com
36
Temperature ( o C)
Figure 43: t ITRIP vs. temperature
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2118SPBF | IC MOSFET DRIVER HIGH SIDE 8SOIC |
| IRS2336DMTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 48-MLPQ |
| IRS2186SPBF | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-SOIC |
| IRS21084SPBF | IC DRIVER HALF-BRIDGE 14-SOIC |
| IR2101SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2336JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Prot w/out iBSF RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE SOIC28 |
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