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参数资料
| 型号： | IRS2336DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 530ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2336DSTRPBFDKR |
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(V CC -COM) = (V B -V S ) = 15 V. T A = 25 C unless otherwise specified. The V IN and I IN parameters are referenced to V SS
IRS2336x(D) Family
Static Electrical Characteristics
o
and are applicable to all six channels. The V O and I O parameters are referenced to respective V S and COM and are
applicable to the respective output leads HO or LO. The V CCUV parameters are referenced to V SS . The V BSUV
parameters are referenced to V S .
Symbol
V CCUV+
V CCUV-
Definition
V CC supply undervoltage positive
going threshold
V CC supply undervoltage negative
going threshold
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
Min
8
10.4
7.4
10.2
Typ
8.9
11.1
8.2
10.9
Max
9.8
11.6
9
11.4
Units
Test Conditions
V CCUVHY
V BSUV+
V BSUV-
V BSUVHY
V CC supply undervoltage
hysteresis
V BS supply undervoltage positive
going threshold
V BS supply undervoltage negative
going threshold
V BS supply undervoltage
hysteresis
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
0.3
—
8
10.4
7.4
10.2
0.3
—
0.7
0.2
8.9
11.1
8.2
10.9
0.7
0.2
—
—
9.8
11.6
9
11.4
—
—
V
NA
I LK
I QBS
I QCC
V OH
V OL
I o+
I o-
V IH
V IL
High-side floating well offset supply leakage
Quiescent V BS supply current
IRS2336
Quiescent V CC supply current
IR2336(4)D
High level output voltage drop, V BIAS -V O
Low level output voltage drop, V O
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
Logic “0” input voltage
Logic “1” input voltage
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
—
—
—
—
—
—
120
250
2.5
—
—
70
2
3
0.90
0.40
200
350
—
—
50
120
3
4
1.4
0.6
—
—
—
0.8
A
mA
V
V
mA
V
V B = V S = 600 V
All inputs are in the
off state
I O = 20 mA
V O =0 V,V IN =0 V,
PW ≤ 10 s
V O =15 V,V IN =5 V,
PW ≤ 10 s
NA
V IN,CLAMP
Input voltage clamp
(HIN, LIN, ITRIP and EN)
IRS2336(D)
4.8
5.2
5.65
I IN = 100 A
I HIN+
I HIN-
I LIN+
I LIN-
V RCIN,TH
V RCIN,HY
I RCIN
R ON,RCIN
Input bias current (HO = High)
Input bias current (HO = Low)
Input bias current (LO = High)
Input bias current (LO = Low)
RCIN positive going threshold
RCIN hysteresis
RCIN input bias current
RCIN low on resistance
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
IRS2336(D)
IRS23364D
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
150
120
110
—
150
120
110
—
8
3
—
50
200
165
150
1
200
165
150
1
—
—
1
100
A
V
A
V IN = 0 V
V IN = 4 V
V IN = 0 V
V IN = 4 V
V IN = 0 V
NA
V RCIN = 0 V or 15 V
I = 1.5 mA
www.irf.com
8
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2336JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Prot w/out iBSF RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2336SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE SOIC28 |
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