- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录333 > IRS26072DSPBF (International Rectifier)IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRS26072DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
IRS26072DSPbF
Application Information and Additional Details
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
IGBT/MOSFET Gate Drive
Switching and Timing Relationships
Matched Propagation Delays
Input Logic Compatibility
Under-Voltage Lockout Protection
Truth Table: Under-Voltage lockout
Integrated Bootstrap Functionality
Bootstrap Power Supply Design
Tolerant to Negative V S Transients
PCB Layout Tips
Integrated Bootstrap FET limitation
Additional Documentation
IGBT/MOSFET Gate Drive
The IRS26072D HVIC is designed to drive high side and low side MOSFET or IGBT power devices. Figures 1 and
2 show the definition of some of the relevant parameters associated with the gate driver output functionality. The
output current that drives the gate of the external power switches is defined as I O . The output voltage that drives
the gate of the external power switches is defined as V HO for the high side and V LO for the low side; this parameter
is sometimes generically called V OUT and in this case the high side and low side output voltages are not
differentiated.
V B
(or V CC )
HO
I O+
V B
(or V CC )
HO
(or LO)
V S
+
V HO (or V LO )
-
(or LO)
V S
I O -
(or COM)
Figure 1: HVIC sourcing current
www.irf.com
11
(or COM)
Figure 2: HVIC sinking current
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2607DSTRPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS26302DJTRPBF | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS26072DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS26072DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf-Brdg Drvr IC motion Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low 10 to 20V 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER |
| IRS2607DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Drvr Hi Volt & Hi Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。