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参数资料
| 型号： | IRS26072DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 20/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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IRS26072DSPbF
PCB Layout Tips
Distance between high and low voltage components: It’s strongly recommended to place the components tied to
the floating voltage pins (V B and V S ) near the respective high voltage portions of the device. Please see the Case
Outline information in this datasheet for the details.
Ground Plane: In order to minimize noise coupling, the ground plane should not be placed under or near the high
voltage floating side.
Gate Drive Loops: Current loops behave like antennas and are able to receive and transmit EM noise (see Figure
20). In order to reduce the EM coupling and improve the power switch turn on/off performance, the gate drive
loops must be reduced as much as possible. Moreover, current can be injected inside the gate drive loop via the
IGBT collector-to-gate parasitic capacitance. The parasitic auto-inductance of the gate loop contributes to
developing a voltage across the gate-emitter, thus increasing the possibility of a self turn-on effect.
V B
(or V CC )
I GC
HO
(or LO )
R G
Gate Drive
Loop
V GE
C GC
V S
(or COM)
Figure 20: Antenna Loops
Supply Capacitor: It is recommended to place a bypass capacitor between the VCC and COM pins. This
connection is shown in Figure 21. A ceramic 1 μF ceramic capacitor is suitable for most applications. This
component should be placed as close as possible to the pins in order to reduce parasitic elements.
Up t o 600V
Vcc
Vcc
HIN1,2,3
LIN1,2,3
HIN1,2,3
LIN1,2,3
V B1,2,3
HO1,2,3
V S 1,2,3
TO
LOAD
LO1,2,3
COM
GND
Figure 21: Supply capacitor
www.irf.com
20
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2607DSTRPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS26072DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS26072DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf-Brdg Drvr IC motion Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low 10 to 20V 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER |
| IRS2607DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Drvr Hi Volt & Hi Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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