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参数资料
| 型号： | IRS26072DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 21/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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IRS26072DSPbF
Routing and Placement: Power stage PCB parasitic elements can contribute to large negative voltage transients at
the switch node; it is recommended to limit the phase voltage negative transients. In order to avoid such
conditions, it is recommended to 1) minimize the high-side source to low-side collector distance, and 2) minimize
the low-side emitter to negative bus rail stray inductance. However, where negative V S spikes remain excessive,
further steps may be taken to reduce the spike. This includes placing a resistor (5 or less) between the V S pin
and the switch node (see Figure 22), and in some cases using a clamping diode between COM and V S (see
Figure 23). See DT04-4 at www.irf.com for more detailed information.
V B
HO
C BS
DC+ BUS
V B
HO
C BS
DC+ BUS
V S
LO
R VS
To
Load
V S
LO
R VS
D VS
To
Load
COM
DC- BUS
Figure 22: V S resistor
COM
DC- BUS
Figure 23: V S clamping diode
Integrated Bootstrap FET limitation
The integrated Bootstrap FET functionality has an operational limitation under the following bias conditions applied
to the HVIC:
?
?
VCC pin voltage = 0V AND
VS or VB pin voltage > 0
In the absence of a VCC bias, the integrated bootstrap FET voltage blocking capability is compromised and a current
conduction path is created between VCC & VB pins, as illustrated in Fig.24 below, resulting in power loss and
possible damage to the HVIC.
Figure 24: Current conduction path between VCC and VB pin
www.irf.com
21
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2607DSTRPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS26302DJTRPBF | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS26072DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS26072DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf-Brdg Drvr IC motion Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low 10 to 20V 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2607DSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER |
| IRS2607DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Drvr Hi Volt & Hi Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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