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参数资料
| 型号： | IRS2607DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 21/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 515ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2607DSTRPBFDKR |
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IRS2607DSPbF Rev22
Parameters trend in temperature
Figures 29-50 provide information on the experimental performance of the IRS2607DS HVIC. The line plotted in
each figure is generated from actual lab data. A large number of individual samples from multiple wafer lots
were tested at three temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to generate the experimental (Exp.)
curve. The line labeled Exp. consist of three data points (one data point at each of the tested temperatures) that
have been connected together to illustrate the understood trend. The individual data points on the curve were
determined by calculating the averaged experimental value of the parameter (for a given temperature).
1500
1200
900
600
300
0
Exp.
1000
800
600
400
200
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Fig. 29. Turn-on Propagation Delay vs. Temperature
250
200
150
100
Exp.
50
0
o
Fig. 30. Turn-off Propagation Delay vs. Temperature
125
100
75
50
Exp.
25
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Fig. 31. Turn-on Rise Time vs. Temperature
www.irf.com
o
Fig. 32. Turn-off Rise Time vs. Temperature
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS26302DJTRPBF | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
| IRS4427PBF | IC MOSFET DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2608DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V Half-Bridge 10 to 20V 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2608DSPBF_1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2608DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Compl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
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