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参数资料
| 型号： | IRS2607DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 515ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2607DSTRPBFDKR |
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IRS2607DSPbF Rev22
Absolute Maximum Ratings
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage
parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings
are measured under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
dV S /dt
P D
Rth JA
T J
T S
T L
Definition
High side floating supply voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage
Allowable offset supply voltage transient
Package power dissipation @ T A ≤ +25 °C
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
Min.
-0.3
V B - 20
V S - 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
—
—
—
—
-50
—
Max.
620
V B + 0.3
V B + 0.3
20
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
0.625
200
150
150
300
Units
V
V/ns
W
°C/W
°C
Note 1: Zener clamps are included between VCC & COM, VB & VS (20V).
Recommended Operating Conditions
For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The V S offset ratings are tested
with all supplies biased at a 15 V differential.
Symbol
V B
V S
V St
V HO
V CC
V LO
V IN
T A
Definition
High side floating supply absolute voltage
Static High side floating supply offset voltage
Transient High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage
Ambient temperature
Min.
V S +10
COM- 8(Note 1)
-50 (Note2)
V S
10
0
COM
-40
Max.
V S +20
600
600
V B
20
V CC
V CC
125
Units
V
°C
Note 1: Logic operational for V S of -8 V to +600 V. Logic state held for V S of -8 V to – V BS.
Note 2: Operational for transient negative VS of COM - 50 V with a 50 ns pulse width. Guaranteed by design. Refer
to the Application Information section of this datasheet for more details.
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
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| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
| IRS4427PBF | IC MOSFET DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2608DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V Half-Bridge 10 to 20V 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2608DSPBF_1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2608DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Compl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
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