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参数资料
| 型号： | IRS2607DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 515ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2607DSTRPBFDKR |
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IRS2607DSPbF Rev22
Static Electrical Characteristics
V CC = V BS = 15 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The V IL, V IH , and I IN parameters are referenced to COM
and are applicable to the respective input leads. The V O, I O, and R ON parameters are referenced to COM and are
applicable to the respective output leads: HO and LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage
2.2
—
—
V IL
V OH
V OL
I LK
Logic “0” input voltage
High level output voltage
Low level output voltage
Offset supply leakage current
—
—
—
—
—
0.8
0.3
—
0.8
1.4
0.6
50
V
I O = 20 mA
V B = V S = 600 V
I QBS
I QCC
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
— 45 70
400 1100 1800
A
V IN = 0 V or 4 V
I IN+
I IN-
V CCUV+
V BSUV+
V CCUV-
V BSUV-
V CCUVH
V BSUVH
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V CC and V BS supply undervoltage positive
going threshold
V CC and V BS supply undervoltage negative
going threshold
V CC and V BS supply undervoltage hysteresis
—
—
8.0
6.9
—
5
—
8.9
7.7
1.2
20
2
9.8
8.5
—
V
V IN = 4 V
V IN = 0 V
I O+
I O-
R BS
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
Bootstrap resistance
120
250
—
200
350
200
—
—
—
mA
V O = 0 V,
PW ≤ 10 s
V O = 15 V,
PW ≤ 10 s
Note: Please refer to Application Section for integrated bootstrap description.
Dynamic Electrical Characteristics
V CC = V BS = 15 V , C L = 1000 pF, T A = 25 °C
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
t on
t off
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
—
—
515
500
715
700
V S = 0 V or 600 V
V S = 0 V or 600 V
MT
t r
t f
t fil
Delay matching, HS & LS turn-on/off
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Minimum pulse input filter time
—
—
—
—
—
150
50
300
50
220
80
—
ns
V S = 0 V
www.irf.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2608DSTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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