型号: | IS61DDB42M18-250M3 |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
中文描述: | 2M X 18 DDR SRAM, 0.35 ns, PBGA165 |
封装: | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
文件页数: | 5/26页 |
文件大小: | 460K |
代理商: | IS61DDB42M18-250M3 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61DDB42M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61DDB42M36 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB42M36-250M3 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB42M36-250M3L | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |