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参数资料
| 型号： | IS61DDB42M18 |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| 中文描述： | 36字节（100万× 36 |
| 文件页数： | 18/26页 |
| 文件大小： | 460K |
| 代理商： | IS61DDB42M18 |
18
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
07/09/04
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
Read, Write, and NOP Timing Diagram
t
KLKH
t
KHKL
t
KHKH
t
CHQZ
t
CHQX
t
CHQX
t
CHQV
t
KHCH
t
KHDX
t
DVKH
t
KHAX
t
AVKH
t
KHIX
t
IVKH
t
KHKH
t
KLKH
t
KHKL
NOP
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NOP
(burst of 4)
A0
A1
A2
A3
(Note 3)
(burst of 4)
(burst of 4)
Q01
Q03
Q11
Q13
Q14
Q12
Q04
Q02
D21
D24
D23
D22
Q31
Q33
Q32
K
K
t
KHKH
(burst of 4)
Read
NOP
Read
Write
Read
LD
R/W
SA
DQ
C
C
t
CHQV
t
CQHQZ
t
CQHQX
t
CQHQV
t
CHCQH
t
KHKH
CQ
CQ
Don
’
t Care
Undefined
Notes:
1. Q01 refers to the output from address A. Q02 refers to the output from the next internal burst address following A.
2. Outputs are disabled (high impedance) one clock cycle after a NOP.
3. The second NOP cycle is not necessary for correct device operation, however, at high clock frequencies, it
might be required to prevent bus contention.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61DDB42M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61LF12832A | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF12832A-6.5B2 | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF12832A-6.5B2I | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF12832A-6.5B3 | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61DDB42M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB42M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB42M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB42M36 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB42M36-250M3 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
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