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参数资料
| 型号： | IS61NLP12836A-200TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 10/29页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IS61NLP12836A-200TQ |
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18
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
SLEEP MODE TIMING
SLEEP MODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max.
Unit
ISB2
Current during SLEEP MODE
ZZ
≥ VIH
35
mA
tPDS
ZZ active to input ignored
2
cycle
tPUS
ZZ inactive to input sampled
2
cycle
tZZI
ZZ active to SLEEP current
2
cycle
tRZZI
ZZ inactive to exit SLEEP current
0
ns
Don't Care
Deselect or Read Only
tRZZI
CLK
ZZ
Isupply
All Inputs
(except ZZ)
Outputs
(Q)
ISB2
ZZ setup cycle
ZZ recovery cycle
Normal
operation
cycle
tPDS
tPUS
tZZI
High-Z
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836A-200TQI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
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| IS61SP25618-133B | 256K x 16, 256K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IS61NLP12836A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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