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参数资料
型号： IS61NLP12836A-200TQ
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100
封装： TQFP-100
文件页数： 24/29页
文件大小： 235K
代理商： IS61NLP12836A-200TQ
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
PIN CONFIGURATION — 128K X 36, 165-Ball PBGA (TOP VIEW)
12
34
56
78
9
10
11
ANC
A
CE
BWc
BWb
CE2
CKE
ADV
NC
A
NC
B
NC
A
CE2
BWd
BWa
CLK
WE
OE
NC
A
NC
C
DQPc
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQPb
D
DQc
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQb
E
DQc
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQb
F
DQc
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQb
G
DQc
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQb
HNC
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ
J
DQd
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQa
K
DQd
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQa
L
DQd
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQa
M
DQd
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQa
N
DQPd
NC
VDDQ
VSS
NC
VSS
VDDQ
NC
DQPa
P
NC
A
ANC
A1*
NC
A
ANC
R
MODE
NC
A
NC
A0*
NC
A
Note: A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address Advance/
Load
WE
Synchronous Read/Write Control
Input
CLK
Synchronous Clock
CKE
Clock Enable
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
BWx (x=a-d)
Synchronous Byte Write Inputs
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
NC
No Connect
DQx
Data Inputs/Outputs
DQPx
Parity Data I/O
VDDQ
Isolated output Power Supply
3.3V/2.5V
VSS
Ground
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PDF描述
IS61NLP12836A-200TQI 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NLP12836A-200TQLI 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
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参数描述
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IS61NLP12836A-200TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836A-200TQLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836A-200TQLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836B-200B2LI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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