参数资料
| 型号： | ISL1209IU10Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 18/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTC LP BATT BACK SRAM 10MSOP |
| 标准包装： | 80 |
| 类型： | 时间事件记录器 |
| 特点： | 警报器，闰年，SRAM |
| 存储容量： | 2B |
| 时间格式： | HH:MM:SS（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1245 (CN2011-ZH PDF) |
3
FN6109.4
October 17, 2006
Absolute Maximum Ratings
Voltage on VDD, VBAT, SCL, SDA, and IRQ pins
(respect to ground) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to 7.0V
Voltage on X1 and X2 pins
(respect to ground) . . . . . . . . . . . . -0.5V to VDD + 0.5 (VDD Mode)
-0.5V to VBAT + 0.5 (VBAT Mode)
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 10s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C
ESD Rating (Human Body Model) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >±2kV
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
DC Operating Characteristics – RTC Test Conditions: VDD = +2.7 to +5.5V, Temperature = -40°C to +85°C, unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
(Note 4)
MAX
UNITS
NOTES
VDD
Main Power Supply
2.7
5.5
V
VBAT
Battery Supply Voltage
1.8
5.5
V
IDD1
Supply Current
VDD = 5V
2
6
A
1, 2
VDD = 3V
1.2
4
A
IDD2
Supply Current With I2C Active
VDD = 5V
40
120
A
1, 2
IDD3
Supply Current (Low Power Mode)
VDD = 5V, LPMODE = 1
1.4
5
A
1
IBAT
Battery Supply Current
VBAT = 3V
400
950
nA
1
ILI
Input Leakage Current on SCL
100
nA
ILO
I/O Leakage Current on SDA
100
nA
VTRIP
VBAT Mode Threshold
1.6
2.2
2.6
V
VTRIPHYS
VTRIP Hysteresis
10
30
60
mV
VBATHYS
VBAT Hysteresis
15
50
100
mV
EVIN
VIL
-0.3
0.3 x
VDD
V
VIH
0.7 x
VDD
VDD +
0.3
V
Hysteresis
0.05 x
VDD
V
IEVPU
EVIN Pullup Current
VSUP = 3V
1.5
A
5
IRQ/FOUT and EVDET
VOL
Output Low Voltage
VDD = 5V, IOL = 3mA
0.4
V
VDD = 2.7V, IOL = 1mA
0.4
V
Power-Down Timing Test Conditions: V
DD = +2.7 to +5.5V, Temperature = -40°C to +85°C, unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
(Note 4)
MAX
UNITS
NOTES
VDD SR-
VDD Negative Slew rate
10
V/ms
3
ISL1209
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PDF描述 |
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参数描述 |
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