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参数资料
| 型号： | ISL6146AFUZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OR CTRLR N-CH 1CH 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 电信/数据通信系统 |
| FET 型： | N 沟道 |
| 输出数： | 1 |
| 内部开关： | 无 |
| 延迟时间 - 关闭： | 65ns |
| 电源电压： | 1 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6146
Absolute Maximum Ratings
BIAS, VIN, VOUT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +24V
GATE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 40V
EN, EN, UVLO, OVP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +24V
ADJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V OUT
FAULT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V OUT
ESD Rating
Human Body Model (Tested per JESD22-A114E) . . . . . . . . . . . . . . .2.5kV
Machine Model (Tested per JESD22-A115-A) . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
Latch Up (Tested per JESD-78B; Class 2, Level A) . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Thermal Information
Thermal Resistance (Typical) θ JA (°C/W) θ JC (°C/W)
MSOP Package (Notes 4, 7) . . . . . . . . . . . . 140 41
DFN Package (Notes 5, 6) . . . . . . . . . . . . . . 46 5
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . . . . .+150°C
Storage Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Recommended Operating Conditions
Bias Supply Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +3V to +20V
OR’d Supply Voltage Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1V to BIAS
Temperature Range (T A ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +125°C
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product
reliability and result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
5. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See Tech
6. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
7. For θ JC , the “case temp” location is taken at the package top center
Electrical Specifications
temperature range, -40°C to +125°C.
V CC = BIAS = 12V, unless otherwise stated. T A = +25°C to +85°C. Boldface limits apply over the operating
MIN
MAX
SYMBOL
PARAMETERS
TEST CONDITIONS
(Note 8)
TYP
(Note 8)
UNITS
BIAS
POR L2H
POR Rising
BIAS Rising, GATE Rising
1.9
2.5
2.95
V
POR HYS
POR Hysteresis
189
mV
IBIAS_en_18
IVIN_en_18
IVIN_en_18
IVOUT_en_18
VOUT_en_18
IBIAS_den_18
IVIN_den_18
IVIN_den_18
ISL6146A/B/D/E BIAS Current
ISL6146A/B/D/E V IN Current
ISL6146C V IN Current
ISL6146A/B/D/E V OUT Current
ISL6146C V OUT Current
ISL6146A/B/D/E BIAS Current
ISL6146A/B/D/E V IN Current
ISL6146C V IN Current
BIAS, V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, enabled
BIAS, V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, enabled
V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, enabled
BIAS, V IN = 18V, V OUT = 16.98V, enabled
V IN = 18V, V OUT = 16.98V, enabled
BIAS, V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, disabled
BIAS, V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, disabled
V IN = 18V, ADJ, V OUT = 16.98V, disabled
3.6
25
3
14
400
1.7
27
1.3
5
40
4.5
20
500
3
37
1.5
mA
μA
mA
μA
μA
mA
μA
mA
IVOUT_den_18 ISL6146A/B/D/E V OUT Current
IVOUT_den_18 ISL6146C V OUT Current
BIAS, V IN = 18V, V OUT = 16.98V, disabled
V IN = 18V, V OUT = 16.98V, disabled
14
385
20
500
μA
μA
t BIAS2GTE
BIAS to GATE Delay
BIAS > POR L2H to GATE Rising
150
210
μs
GATE
V GH_3
V GH_12
V GH_18
V GL
I PDL
I PDH
t toff
Charge Pump Voltage
Charge Pump Voltage
Charge Pump Voltage
Low Voltage Level
Low Pull-Down Current
High Pull-Down Current
Fast Turn-off Time
V IN , BIAS = 3V V IN - V OUT > V FWD_VR
V IN , BIAS = 12V V IN - V OUT > V FWD_VR
V IN , BIAS = 18V V IN - V OUT > V FWD_VR
V IN - V OUT < 0V
V IN = 12V, V OUT = 12.2V ADJ = 11V
V IN falling from 12V to 10V in 2μs
V IN = V BIAS = 12V, V GATE = 18V to 10V,
C GATE = 57nF
V IN +5V
V IN +9V
V IN +9V
5
3.5
V IN +7V
V IN +10V
V IN +10V
0
8.4
6.5
65
V IN +10.5V
V IN +17.5V
V IN +18V
0.1
13
130
V
V
V
V
mA
A
ns
6
FN7667.4
April 26, 2013
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