参数资料
| 型号： | ISL6323IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HYBRID CTRLR PWM MONO 48-QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 应用： | 控制器，AMD SVI |
| 输入电压： | 5 V ~ 12 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 最高 2V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 48-QFN（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6323
Functional Pin Description (Continued)
PIN NUMBER
39
40
41
42
49
SYMBOL
UGATE_NB
BOOT_NB
LGATE_NB
PVCC_NB
GND
DESCRIPTION
Connect this pin to the corresponding upper MOSFET gate. This pin provides the PWM-
controlled gate drive for the upper MOSFET and is monitored for shoot-through
prevention purposes.
This pin provides the bias voltage for the corresponding upper MOSFET drive. Connect
this pin to appropriately chosen external bootstrap capacitor. The internal bootstrap
diode connected to the PVCC_NB pin provides the necessary bootstrap charge.
Connect this pin to the corresponding MOSFET’s gate. This pin provides the PWM-
controlled gate drive for the lower MOSFET. This pin is also monitored by the adaptive
shoot-through protection circuitry to determine when the lower MOSFET has turned off.
The power supply pin for the internal MOSFET driver for the Northbridge controller.
Connect this pin to any voltage from +5V to +12V depending on the desired MOSFET
gate-drive level. Decouple this pin with a quality 1.0μF ceramic capacitor.
GND is the bias and reference ground for the IC. The GND connection for the ISL6323 is
through the thermal pad on the bottom of the package.
Integrated Driver Block Diagram
PVCC
BOOT
UGATE
PWM
20k Ω
SOFT-START
AND
FAULT LOGIC
GATE
CONTROL
LOGIC
SHOOT-
THROUGH
PROTECTION
PHASE
10k Ω
LGATE
5
FN9278.5
May 17, 2011
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PDF描述 |
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