参数资料
| 型号： | ISL6539IA-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，DDR DRAM，SDRAM |
| 输入电压： | 3.3 V ~ 18 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 0.9 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SSOP/QSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Block Diagram
BOOT1
PG1
EN1
VCC GND
EN2
REF/PG2
BOOT2
UGATE1
UGATE2
PHASE1
ADAPTIVE DEAD-TIME
DDR = 0
DDR = 1
ADAPTIVE DEAD-TIME
PHASE2
PGND1
DIODE EMULATION
DIODE EMULATION
PGND2
LGATE1
V/I SAMPLE TIMING
V/I SAMPLE TIMING
LGATE2
VCC
POR
ENABLE
BIAS SUPPLIES
REFERENCE
FAULT LATCH
SOFT-START
VCC
1M Ω
16.7pF
OV UV
PGOOD
DDR MODE
CONTROL
OV UV
PGOOD
16.7pF
1M Ω
500k Ω
500k Ω
VSEN1
+ 0.9V
REF
300k Ω
-
+
1.25pF
4.4k Ω
ERROR AMP 1
-
+
PWM1
OC1 DDR
OC2
PWM2
-
+
4.4k Ω
1.25pF
ERROR AMP 2
-
+
300k Ω
(200k Ω , DDR = 1)
VSEN2
SOFT2
SOFT1
DUTY CYCLE RAMP GENERATOR
PWM CHANNEL PHASE CONTROL
DDR = 0
+
0.9V
DDR = 1
DDR
EN1
EN2
VIN
CH1 CH2 φ
REF
ISEN1
140 Ω
CURRENT
SAMPLE
-
+
CURRENT
SAMPLE
0
1
1
1
1
1
5V 15.0V
V IN = 5V
V IN = GND
180°
90°
0°
CURRENT
SAMPLE
-
+
140 Ω
CURRENT
SAMPLE
ISEN2
OCSET1
DDR = 0
OCSET2
+
0.9V REFERENCE
-
OC1
OC2
-
0.9V REFERENCE
+
DDR = 1
1/2.9
OCSET1
1/33.1
ISEN1
+
SAME STATE FOR
8 CLOCK CYCLES
REQUIRED TO LATCH
VIN
DDR
VCC
SAME STATE FOR
8 CLOCK CYCLES
REQUIRED TO LATCH
+
1/33.1
ISEN2
+
-
DDR VREF
BUFFER AMP
1/2.9
OCSET2
+
-
DDR VTT
REFERENCE
OVERCURRENT FAULT
OVERCURRENT FAULT
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